
ساخت لایه های نازک نیمه هادی های گروه II-VI و IV-VI در پژوهشگاه مواد
پرینت شماره خبر: 152318 16 آبان 1394 - 15:03 سپیدار آنلاین: رئیس پژوهشکده نیمه هادی ها در پژوهشگاه مواد و انرژی از دریافت پاسخ های مثبت در ارتباط با ساخت لایه های نازک نیمه هادی های گروه II-VI و IV-VI از طریق روش های شیمیایی، جهت کاربرد در سنسورها و آشکارسازها در این پژوهشکده خبر داد.